Развитие технологий искусственного интеллекта значительно увеличивает спрос на современные чипы памяти. Одним из ключевых направлений становится 3D NAND — технология флеш-памяти, в которой ячейки располагаются не в одной плоскости, а вертикально, образуя многослойную структуру. Такой подход позволяет продолжать увеличивать плотность хранения данных даже после того, как традиционная двумерная архитектура приблизилась к физическим пределам масштабирования.

Сегодня производители последовательно переходят к устройствам с 375, 480, а в перспективе — более чем 600 слоями. Однако рост числа слоев приводит к новой инженерной задаче: управляющие линии памяти (word line) становятся одновременно длиннее и тоньше. В таких условиях традиционный материал — вольфрам — начинает хуже справляться с требованиями по сопротивлению, что приводит к росту задержек сигнала и тепловыделения.

Именно поэтому отрасль все активнее рассматривает замену вольфрама на молибден. Этот металл обладает более низким электрическим сопротивлением при столь малых размерах проводников и позволяет отказаться от некоторых дополнительных технологических слоев, что делает его более подходящим для производства высокослойной 3D NAND.

По данным отраслевых источников, компания SK Hynix уже завершила проверку технологии для 375-слойной памяти и планирует запустить массовое производство, что рассматривается как важный этап внедрения молибдена в серийное производство.

При этом речь идет не об обычном промышленном молибдене, а о сверхчистых материалах полупроводникового класса (чистота не менее 99,999%), используемых в виде специальных химических прекурсоров. Их производство требует сложных технологий и прохождения длительной квалификации у крупнейших производителей памяти. По этой причине рынок подобных материалов остается небольшим, а число сертифицированных поставщиков в мире ограничено.

Хотя дополнительная потребность полупроводниковой отрасли в молибдене практически не повлияет на мировой объем добычи, она может заметно изменить ситуацию именно в сегменте высокочистых материалов. Основная ценность здесь заключается не в общем объеме потребления металла, а в высокой добавленной стоимости продукции и серьезных барьерах для входа новых производителей.

Дополнительным фактором поддержки рынка считается ограниченная гибкость предложения. Значительная часть мирового молибдена добывается как попутный продукт при разработке медных месторождений, поэтому объемы производства зависят прежде всего от добычи меди, а не от цен на сам молибден. Это ограничивает возможность быстро увеличить предложение при росте спроса.

Таким образом, переход от вольфрама к молибдену в производстве 3D NAND может стать одним из важных технологических изменений ближайших лет. Наибольшую выгоду потенциально способны получить компании, выпускающие высокочистые молибденовые прекурсоры и уже имеющие квалификацию у ведущих производителей памяти. При этом любые инвестиционные решения требуют самостоятельной оценки рисков и не должны основываться исключительно на отраслевых обзорах.